依據AC電容器標準并通過安規認證,適用于線間旁路、耦合及線跨接十分理想,用作交流電路濾波器以及開關電源和交流轉接器初級二次級耦合的Y等級電容器,其次用于無變壓器DAA數據機的DA絕緣和降噪。
● 通過了IEC和多國的安全標準認證
● 簡潔的尺寸,阻燃的環氧樹脂封閉
● 符合RoHS指令
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依據AC電容器標準并通過安規認證,適用于線間旁路、耦合及線跨接十分理想,用作交流電路濾波器以及開關電源和交流轉接器初級二次級耦合的Y等級電容器,其次用于無變壓器DAA數據機的DA絕緣和降噪。
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新時代發展到現在,越來越多的新事物出現,我們從最初不認識到慢慢熟知新事物的轉變過程中,往往會忽略最初,這種新事物是如何而來,那么今天就讓瓷谷電子小編我,好好帶大家重新了解一下“瓷片電容技術參數”,深入了解和探究一些,鮮少為人所知道的事情!
瓷片電容技術參數的發展歷程:
1900年意大利L.隆巴迪發明陶瓷介質電容 ;
30年代末人們發現在陶瓷中添加鈦酸鹽可使介電常數成倍增長,因而制造出較便宜的瓷介質電容 ;
1940年前后人們發現了現在的瓷片電容技術參數 的主要原材料BaTiO3(鈦酸鋇)具有絕緣性后,開始將瓷片電容技術參數使用于對既小型、精度要求又極高的軍事用電子設備當中。
1960年左右陶瓷疊片電容 作為商品開始開發。
1970年,隨著混合IC、計算機、以及便攜電子設備的進步也隨之迅速的發展起來,瓷片電容成為電子設備中不可缺少的零部件,而其中技術參數也是學者們研究的重點。
現在的陶瓷介質電容的全部數量約占電容 市場的70%左右。
因為陶瓷介質電容的絕緣體材料主要使用陶瓷,其基本構造是將陶瓷和內部電極交相重疊。陶瓷材料有幾個種類。自從考慮電子產品無害化特別是無鉛化后,高介電系數的PB(鉛)退出瓷片電容技術參數領域,現在主要使用TiO2(二氧化鈦)、 BaTiO3, CaZrO3(鋯酸鈣)等。和其它的電容 相比具有體積小、容量大、耐熱性好、適合批量生產、價格低等優點。
由于原材料豐富,結構簡單,價格低廉,而且電容量范圍較寬(一般有幾個PF到上百μF),損耗較小,電容量溫度系數可根據要求在很大范圍內調整。
瓷片電容技術參數品種繁多,外形尺寸相差甚大從0402(約1×0.5mm)封裝的貼片電容 到大型的功率瓷片電容。按使用的介質材料特性可分為Ⅰ型、Ⅱ型和半導體瓷片電容 ;按無功功率大小可分為低功率、高功率瓷片電容;按工作電壓可分為低壓和高壓瓷片電容 ;按結構形狀可分為圓片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、疊片、獨石、塊狀、支柱式、穿心式等。
瓷片電容的分類:
瓷片電容技術參數從介質類型主要可以分為兩類,即Ⅰ類瓷片電容技術參數和Ⅱ類瓷片電容技術參數。
Ⅰ類瓷片電容技術參數(ClassⅠ ceramic capacitor),過去稱高頻瓷片電容技術參數 (High-freqency ceramic capacitor),是指用介質損耗小、絕緣電阻高、介電常數隨溫度呈線性變化的陶瓷介質制造的電容 。它特別適用于諧振回路,以及其它要求損耗小和電容量穩定的電路,或用于溫度補償。
Ⅱ類瓷片電容技術參數(Class Ⅱ ceramic capacitor)過去稱為為低頻瓷片電容技術參數 (Low frequency cermic capacitor),指用鐵電陶瓷作介質的電容 ,因此也稱鐵電瓷片電容技術參數 。這類電容 的比電容大,電容量隨溫度呈非線性變化,損耗較大,常在電子設備中用于旁路、耦合或用于其它對損耗和電容量穩定性要求不高的電路中。
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