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    薄膜電容CBB21-400V-223J

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    產品用途及特點:

    廣泛應用于高頻、直流、交流和脈沖電路中,無感結構,損耗少,內部溫升小,可承受高脈沖,大電流,耐高頻100KHZ,容量變化少,負溫度系數

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    產品參數 / Product Details

    • 【產品型號】CBB21-400V-223J
    • 【所屬分類】CBB21薄膜電容
    • 【本體高度】13mm
    • 【電容量】0.022μF
    • 【本體厚度】10mm
    • 【容量編號】223
    • 【本體寬度】6mm
    • 【主要材料】金屬化聚丙烯
    • 【額定電壓】400VDC
    • 【引線間距】10mm
    • 【測試電壓】1800VDC
    • 【引線長度】3-22mm
    • 【標準偏差】J(±5%)
    • 【引線直徑】0.6mm
    • 【損耗角正切】tanδ≤0.0010 1KHz
    • 【絕緣電阻】IR≥15000MΩ IR≥6000S(MΩ/μF)
    • 【溫度范圍】-40℃~+110℃
    如需了解其它參數請通過右側電話或者微信 、QQ咨詢

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    推薦閱讀 / Product Details


    薄膜電容


    結構與紙質電容器相似,但用聚酯、聚丙烯乙烯等低損耗素材作介質頻率特性好,介電損耗小不能做成大的容量,耐熱能力差波濾器、積分、震蕩、定時電路。


    a聚酯(滌綸)電容(CL)


    電容量:40p~4u


    額定電壓:63~630V


    主要特點:小體積,大容量,耐熱耐濕,穩定性差


    應用:對穩定性和損耗要求不高的低頻電路


    B聚苯乙烯電容(CB)


    電容量:10p~1u


    額定電壓:100V~30KV


    主要特點:穩定,低損耗,體積較大


    應用:對穩定性和損耗要求較高的電路


    C聚丙烯電容(CBB)


    電容量:1000p~10u


    額定電壓:63~2000V


    主要特點:性能與聚苯相似但體積小,穩定性略差


    應用:代替大部分聚苯或云母電容,用于要求較高的電路

    瓷介電容器


    穿心式或支柱式結構瓷介電容器,它的一個電極就是安裝螺絲。引線電感極小,頻率特性好,介電損耗小,有溫度補償作用不能做成大的容量,受振動會引起容量變化特別適于高頻旁路。


    A高頻瓷介電容(CC)


    電容量:1~6800P


    額定電壓:63~500V


    主要特點:高頻損耗小,穩定性好


    應用:高頻電路


    B低頻瓷介電容(CT)


    電容量:10~4.7u


    額定電壓:50V~500V


    主要特點:體積小,價廉。損耗大,穩定性差


    應用:要求不高的低頻電容

    獨石電容器


    (多層陶瓷電容器)在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以電極槳材料,疊合后一詞燒結成一塊不可分割的整體,外面再用樹脂包封而成小體積、大容量、高可靠和耐高溫的新型電容器,高介電常的低頻獨石電容器也具有穩定的性能,體積小,Q值高容量誤差較大噪聲旁路、濾波器、積分、振蕩電路。


    容量范圍:0.5PF~1UF


    耐壓:二倍額定電壓。


    電容量大、體積小、可靠性高、電容量穩定、耐高溫耐濕性好等。


    應用范圍:廣泛應用于電子精密儀器,各種小型電子設備作諧振、耦合、濾波、旁路。

    陶瓷電容器就是用陶瓷作為電介質,在陶瓷基體兩面噴涂銀層,然后經低溫燒成銀質薄膜作極板而制成。陶瓷電容器又分為高頻瓷介電容器和低頻瓷介電容器兩種。具有小的正電容溫度系數的電容器,用于高穩定振蕩電路中,作為回路電容器。低頻瓷介電容器用在對穩定性和損耗要求不高的 場合或工作頻率較低的回路中起旁路或隔直流作用,它易被脈沖電壓擊穿,故不能使用在脈沖電路中。高頻瓷介電容器適用于高頻電路。


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